BFG11W/X

Частота 2Ghz

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.76 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: SOT343